LED灯珠线路_led灯珠线路排列是怎样的

LED灯珠线路_led灯珠线路排列是怎样的

led灯珠照明技能线路涉及外延、基板、封装、白光led灯珠的种类等多方面。红色、绿色、蓝色led灯珠、磷、砷、氮等III？V族从化合物、例如砷化镓（GaAs、磷化镓（GaP、磷砷化镓（（GaAsp）、以及氮化镓（GaN）等半导体系统例示。

一、led灯珠外延led灯珠的价格技能近十年来，业界经过外延生长过程的改良上位错密度得到了很年夜的改良。但是，主流的白光照明用蓝色光led灯珠的氮化镓GaN和基板间格子以及热膨胀系数的不匹配仍然带来高位错密度。以往，通过过程研究led灯珠外延技术将缺陷密度抑制到最小限度，提高结晶质量是led灯珠技术的要求。led灯珠的外延片是led灯珠的焦点部，led灯珠的波长、正向电压、亮度或发光量等光电参数基本上依赖于外延片质量。外延技能及装备是外延片制造技能的要害，金属有机物气相沉积技能MOCVD成长III-led灯珠规格大年夜全V族、II-VI族以及合金薄层单晶的重要要领。外延片的位错作为非辐射复合中心对元件的光马达能量有很大的影响。

led灯珠外延配置及外延技能研究：

①led灯珠通常的成长技能收容多个子阱宿世长低In成分的InGaN预阱开释应力，填充载流子“蓄电池”，为了提高屏障的结晶质量，使GaN屏障层进一步升温成长，使网格匹配的InGaAlN屏障层或成长应力互补的InGaN/AlGaN排列等成长。量子阱有源区InGaN/GaN量子阱活动区域是led灯珠外延材料的焦点，成长InGaN量子阱的要点是控制量子阱的应力，减少极化效果的影响。

②经过长年的成长，led灯珠的外延层布局以及外延技能已经比较成熟，led灯珠中量子效率达到90%以上，红色led灯珠中量子效率接近100%。但是，在年夜电力led灯珠的研究中，发明的年夜电流注入下的量子效率下降显著，被称为Droop效果。GaN基led灯珠的Droop效果的原因是，由于比力而偏向于载波的局部化、来自活性区域的泄漏或溢出以及俄歇复合。试验发明即使接受宽量子阱来降低载波密度，优化p型区域的电子截止层Droop，也能够缓和效果。

led灯珠外延布局及外延技能研究中的其他详细技能如下。

①外貌粗化技能led灯珠外延外貌粗化是因为外延材料的折射率与封装质量材料不同，为了防止部门出射光被外延层反射，适合改变出射角度的全反射超调防止光率。过程中，对外延外貌进行直接处理惩罚，容易损伤外延活性层，难以构建透明电极，通过过程转换外延层的生长前提，可达到外貌粗糙化。

②基板剥离技能led灯珠蓝宝石基板激光剥离技能GaN同质外延基于剥离生长技能，将紫外线激光照射到基板上，熔解过渡层并剥离，2003年OSRAM在该工序中剥离蓝宝石，将出光率提高到75%，是以往的3倍，作为生产线形成。

③led灯珠根据触发器技术美国Lumileds公司的数据，蓝宝石基板的led灯珠增加了约光率1.6倍。

④led灯珠全方位反射膜在外延层内尽可能地全反射出射正面以外的表面的出射光，最终升格为从正面出射光率。

⑤led灯珠二维光子晶体的微布局能够提高超越光的效率，2003年9月日本松下电器建造了直径1.5微米、高度0.5微米的低光子晶体的led灯珠，使光率提高了60%。

二、基板技能led灯珠经常使用的芯片基板技能线路蓝宝石基板、碳化硅基板、硅基板的三年夜类重要，有正在开发中的氮化镓、氧化锌等。

对基板材料提出要求：

①led灯珠基板和外延膜层的化学不变性一致，基板材料具有良好的化学不变性，难以在外延生长的温度和气氛中分化和腐化，在不产生外延膜的妊娠和化学反应的情况下降低外延膜的质量。②led灯珠基板与外延膜层的热膨胀系数一致，热膨胀系数超过了年夜差，降低了外延膜的生长质量，在装置的动作过程中，有可能由于发热而导致装置的破坏。

③led灯珠基板与外延膜层的布局一致，若两者的质量材料的晶体布局不同或不邻接，则晶格常数的失配小，结晶功能好，缺陷密度低。

我国led灯珠硅基板技能今天早上患上了技能突破，致力于年夜范围的财产化运用。目前，商品化GaN基led灯珠中年夜量使用的基板只有蓝宝石和碳化硅基板。可以用于其他GaN基led灯珠的衬底等离子体具有与财产化不同的间隔GaN同质基片和ZnO基片。