uvc led灯珠_LED灯珠生产技术

uvc led灯珠_LED灯珠生产技术

紫外线是指太阳光线中紫色以外的肉眼看不见的光线。紫外波段）根据波长，通常是长波紫外线或UVA（320lt；λ≤400nm）、中波紫外或UVB（280lt；λ≤320nm，短波紫外或UVC（200lt；λ≤280nm）及真空紫外VUV（10lt；λ≤200nm）对应于不同波长，详细应用不同。从led灯珠延伸出来的紫外线UVled灯珠，其应用领域广，百货公司的放出定时大。合理运用紫外线，极尽发挥紫外线的功用，成为人类的福音。

现在UVled灯珠芯片产业发生了问题。

一、量子功率低深紫外led灯珠的EQE不超过10%，大部分量子功率在5%以下。实际上，当前可购买的UVB、UVC频带led灯珠的量子功率为1%？多为2%。这与浅紫外线和蓝光led灯珠的水淮明显相距甚远。

二、很难获得更短波长的技能从技能的观点来说，一般的蓝光led灯珠作为发光资料基本选择GaN，但是GaN的带隙是3.4eV，所以芯片内部产生的波长小于370nm的辐射被GaN吸收。因此，UV？很多led灯珠使用AlGaN作为发光资料。

另一方面，AlGaNled灯珠需要比1层带隙大的覆盖层，导致更高的贯通位错密度，然后导致发光功率的降低。

随着辐射峰值波长的减少，UV？led灯珠芯片的外部量子功率逐渐降低。也就是说，要获得更短波长，技能难度较高，UV？led灯珠有必要研究芯片制造商的运用技能。

三、高Al组分AlGaN资料的外延成长困难GaN基蓝光LED与灯珠相比，深紫外led灯珠的研究开发对于高Al组分AlGaN资料的外延生长是困难的，一般来说，Al成分越高结晶质量越低，位错密度109cm？2~1010 cm涉及两个以上。

AlGaN与GaN相比，资料的掺杂非常困难，无论是n型掺杂还是p型掺杂，随着Al成分的添加，外延层的导电率急速下降，特别是p？AlGaN特别得到了掺杂，掺杂剂Mg的激活功率低，空穴缺乏、导电性、发光功率急剧下降。

同时，紫外线led灯珠在平面蓝宝石基板上外延生长，光输出低。针对这些技能的难点，开发了AlN同质基板技能、纳米图形基板外延技能NPSS以及一般化p型层技能等几个解决方案。

1、基板技能约束深紫外LED器材光提取功率的另一个重要因素是平面蓝宝石基板，平面蓝宝石基板引起严格的界面全反射，许多紫外线约束不能从外延层中出来。

对于这些难题，近年来国内外都打破了一些讨论。日本名城大学研究人员认为，DUV LED是珠蓝宝石的另一边？eye通过制造结构，获得了1.5倍的光提取功率的进步。

美国的研究人员在280nm DUV LED蓝宝石的另一侧制造了微透镜阵列，并在20mA注入电流下提高了光输出功率55%。

韩国研究人员的模仿成果表明，纳米柱结构对于添加DUV LED的光提取功率，特别是TM的光提取非常有用。中国科学院半导体研究所通过纳米选择图案基板的技术，在20mA的注入电流下使283nmDUVled灯珠的光输出从1.5mW提高到3mW，使外部量子功率提高近2倍，其中重要的进步元件来自纳米图案基板的光提取增强作用。

另外，紫外波段高反射电极、基板剥离、直接结构芯片等技能能够有助于进一步提高深紫外LED的光输出功率。

2、触发器结构及p层深紫外led灯珠多用作p型欧姆触摸层pGaN，有时该层的厚度达到100纳米以上，但由于pGaN关于量子阱发表的深紫外紫外波段光线被强烈吸收，所以深紫外led灯珠一般选择触发器结构。选择深紫外线透过的pAlGaN层，通过减小pGaN层的厚度，能够缓和该问题，能够提高深紫外LED器材的光提取功率。