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uvc led灯珠_LED灯珠生产技术

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发表时间:2022-05-07 15:50作者:幻彩灯珠
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uvc led灯珠_LED灯珠生产技术

紫外线是指太阳光线中紫色以外的肉眼看不见的光线。紫外波段)根据波长,通常是长波紫外线或UVA(320lt;λ≤400nm)、中波紫外或UVB(280lt;λ≤320nm,短波紫外或UVC(200lt;λ≤280nm)及真空紫外VUV(10lt;λ≤200nm)对应于不同波长,详细应用不同。从led灯珠延伸出来的紫外线UVled灯珠,其应用领域广,百货公司的放出定时大。合理运用紫外线,极尽发挥紫外线的功用,成为人类的福音。

现在UVled灯珠芯片产业发生了问题。

一、量子功率低深紫外led灯珠的EQE不超过10%,大部分量子功率在5%以下。实际上,当前可购买的UVB、UVC频带led灯珠的量子功率为1%?多为2%。这与浅紫外线和蓝光led灯珠的水淮明显相距甚远。

二、很难获得更短波长的技能从技能的观点来说,一般的蓝光led灯珠作为发光资料基本选择GaN,但是GaN的带隙是3.4eV,所以芯片内部产生的波长小于370nm的辐射被GaN吸收。因此,UV?很多led灯珠使用AlGaN作为发光资料。

另一方面,AlGaNled灯珠需要比1层带隙大的覆盖层,导致更高的贯通位错密度,然后导致发光功率的降低。

随着辐射峰值波长的减少,UV?led灯珠芯片的外部量子功率逐渐降低。也就是说,要获得更短波长,技能难度较高,UV?led灯珠有必要研究芯片制造商的运用技能。

三、高Al组分AlGaN资料的外延成长困难GaN基蓝光LED与灯珠相比,深紫外led灯珠的研究开发对于高Al组分AlGaN资料的外延生长是困难的,一般来说,Al成分越高结晶质量越低,位错密度109cm?2~1010 cm涉及两个以上。

AlGaN与GaN相比,资料的掺杂非常困难,无论是n型掺杂还是p型掺杂,随着Al成分的添加,外延层的导电率急速下降,特别是p?AlGaN特别得到了掺杂,掺杂剂Mg的激活功率低,空穴缺乏、导电性、发光功率急剧下降。

同时,紫外线led灯珠在平面蓝宝石基板上外延生长,光输出低。针对这些技能的难点,开发了AlN同质基板技能、纳米图形基板外延技能NPSS以及一般化p型层技能等几个解决方案。

1、基板技能约束深紫外LED器材光提取功率的另一个重要因素是平面蓝宝石基板,平面蓝宝石基板引起严格的界面全反射,许多紫外线约束不能从外延层中出来。

对于这些难题,近年来国内外都打破了一些讨论。日本名城大学研究人员认为,DUV LED是珠蓝宝石的另一边?eye通过制造结构,获得了1.5倍的光提取功率的进步。

美国的研究人员在280nm DUV LED蓝宝石的另一侧制造了微透镜阵列,并在20mA注入电流下提高了光输出功率55%。

韩国研究人员的模仿成果表明,纳米柱结构对于添加DUV LED的光提取功率,特别是TM的光提取非常有用。中国科学院半导体研究所通过纳米选择图案基板的技术,在20mA的注入电流下使283nmDUVled灯珠的光输出从1.5mW提高到3mW,使外部量子功率提高近2倍,其中重要的进步元件来自纳米图案基板的光提取增强作用。

另外,紫外波段高反射电极、基板剥离、直接结构芯片等技能能够有助于进一步提高深紫外LED的光输出功率。

2、触发器结构及p层深紫外led灯珠多用作p型欧姆触摸层pGaN,有时该层的厚度达到100纳米以上,但由于pGaN关于量子阱发表的深紫外紫外波段光线被强烈吸收,所以深紫外led灯珠一般选择触发器结构。选择深紫外线透过的pAlGaN层,通过减小pGaN层的厚度,能够缓和该问题,能够提高深紫外LED器材的光提取功率。


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