尹志尧“志在巅峰”的底气，是中微公司在刻蚀设备、MOCVD设备两大领域齐发力的成果。
“今年（2021年）到目前为止，用于3D NAND应用的Primo HD-RIE和用于7纳米及以下节点逻辑应用的Primo AD-RIE-e占设备总出货量的50%。”中微公司官网介绍。
3D NAND是闪存领域最先进的产品，而7纳米及以下节点芯片，世界范围内也只有台积电、三星等极少数晶圆厂具备制造能力。
但要注意的是，半导体行业具有一定的周期性特征。中微公司也表示，在行业景气度提升过程中，产业往往加大资本性支出，快速提升对相关设备的需求；在行业景气度下降过程中，产业则可能削减资本支出，进而对设备的需求产生不利影响。
国内刻蚀设备龙头
尹志尧是刻蚀设备专家，其于1986年加入Lam Research（泛林半导体）并引领了刻蚀技术的发展，同时为一些关键产品带来了解决方案。在成立中微之前，尹志尧在应用材料公司任职13年，曾担任公司副总裁、等离子体刻蚀设备产品事业群总经理、亚洲区采购副总裁、应用材料亚洲首席技术官等。
他的职业生涯，与刻蚀设备分不开。曾任职的两家公司也是全球前三的刻蚀设备厂商。根据Gartner 2019年统计数据，泛林半导体、东京电子和应用材料分别占据了全球44.7%、28.0%、18.1%的市场份额。
在尹志尧的带领下，中微公司逐渐成长为国内刻蚀设备龙头。在Gartner 2019年统计中，中微公司刻蚀设备全球排名第六，市占率为1.1%。
2021年，中微公司营业收入31.08亿元，同比增长36.72%。其中，刻蚀设备收入20.04亿元，同比增长约55.44%，毛利率为44.32%。
中微公司主要产品可分为CCP刻蚀设备、ICP刻蚀设备以及MOCVD设备。
刻蚀设备技术方面，中微公司相关设备可用于逻辑芯片先进制程、3D NAND芯片的生产。公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户65纳米到5纳米等先进的芯片生产线。同时，公司根据先进集成电路厂商的需求，已开发出5纳米及更先进刻蚀设备用于若干关键步骤的加工，并已获得行业领先客户的批量订单。公司目前正在配合客户需求，开发新一代刻蚀设备和包括更先进大马士革在内的刻蚀工艺，能够涵盖5纳米以下更多刻蚀需求和更多不同关键应用的设备。
事实上，目前全球能生产5纳米及以下先进制程芯片的晶圆厂，唯有台积电、三星。
在3D NAND领域，中微公司电容性等离子体刻蚀设备可应用于64层和128层的量产，同时公司根据存储器厂商的需求正在开发新一代能够涵盖128层及以上关键刻蚀应用以及相对应的极高深宽比的刻蚀设备和工艺。
此外，中微公司正在进行下一代产品的技术研发，以满足5纳米以下的逻辑芯片、1X纳米的DRAM芯片和128层以上的3D NAND芯片等产品的ICP刻蚀需求，并进行高产出的ICP刻蚀设备的研发。
对于刻蚀设备业务的发展，尹志尧在董事长致辞中表示：“公司CCP等离子体刻蚀设备产品持续保持竞争优势，在国内外一线客户的逻辑和存储芯片制造生产线上，包括先进的5纳米芯片生产线和下一代的试生产线上，持续提升市场占有率，在部分关键客户市场占有率已进入前三位甚至前二位。”
赶上Mini LED风口
在很多投资者的印象里，中微公司是刻蚀设备龙头。其实，中微公司的MOCVD产品在LED设备市场也有较大影响力，特别是Mini LED风潮渐起之时。
根据TrendForce集邦咨询报道，随着Mini LED背光显示渗透率的提升，以及Mini LED直接显示逐渐进入商显等市场，Mini/Micro LED新型显示带来的LED外延片需求量将快速增长。
平安证券研报显示，MOCVD设备是LED制造的关键设备，采购金额占产线投入的50%以上。2021年被称为 Mini LED元年，GGII统计，年内LED产业链超过8成的投资集中于LED显示尤其是 Mini/Micro LED领域，Mini LED产能投资推升了MOCVD需求。
而中微公司，正是MOCVD设备重要提供商，根据IHS Markit统计，2018年中微公司的 MOCVD占据全球氮化镓基LED用MOCVD新增市场的41%；尤其在2018年下半年，中微公司的 MOCVD更是占据了全球新增氮化镓基LED MOCVD设备市场的60%以上。
中微公司于2021年6月发布了用于高性能Mini LED量产的MOCVD设备PrismoUniMax，半年内即已收到来自国内多家领先客户的批量订单合计超过100腔，并且不断收到更多的订单。
3月29日，中微公司又于官方微信号宣布，全资子公司南昌中微半导体设备有限公司收到兆驰科技52腔MOCVD设备采购订单。
作为技术密集型行业，中微公司MOCVD业务的发展离不开人才。中微公司官网显示，其领导团队中与MOCVD业务相关的主要有副总裁、南昌中微兼MOCVD中国区总经理季华；副总裁，MOCVD产品部总经理郭世平。
公司官网对季华的描述是“领导中国区团队积极推进MOCVD设备销售服务，在三年内实现爆发式的销售业务成长，负责南昌中微公司的建立和运营。”
郭世平则主要从事MOCVD设备的开发和管理工作，具有多年从事化合物半导体材料外延工艺开发、设备研发及营运的经验。2006年至2012年，郭世平在美国IQE-RF公司历任资深研究员，氮化镓部门营运和研发总监，主要从事氮化镓晶体管和发光材料MOCVD外延生长的研发和营运工作。
而氮化镓，正是第三代半导体的一种。并且，第三代半导体也是MOCVD设备的一大应用方向。中微公司表示：“针对化合物半导体功率器件市场应用的快速发展，公司正在开发硅基氮化镓及碳化硅功率器件专用的外延设备，不断丰富公司设备的产品线，强化公司在第三代半导体设备市场的竞争优势。”
不过，中微公司也提示风险道，近年来，晶圆厂和 LED 外延片制造商审慎地进行扩产。不能排除下游个别晶圆厂和 LED 外延片制造商的后续投资不及预期，对相关设备的采购需求减弱，这将影响公司的订单量，进而对公司的业绩产生不利影响。
